陶瓷介质损耗因数测试仪陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。
在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。
高分子材料的损耗
高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。
高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向，因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子，虽然这种高聚物的极性很强，但只要固化比较完全，它的介质损耗就不高。相反，支化使分子链间作用力减弱，分子链活动能力增强，介电常数和介质损耗均增大。
高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能链段上偶极矩的取向极化，因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时，链段上的偶极的极化有时完全被，介电性能可降至低值，同样的道理，非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外，高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。
介质损耗（dielectric loss ）指的是绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。
介质损耗因数（dielectric loss factor）指的是衡量介质损耗程度的参数。【依据标准】GB/T 16491、GB/T 1040、GB/T 8808、GB/T 13022、GB/T 2790、GB/T 2791、GB/T 2792、GB/T 16825、GB/T 17200、GB/T 3923.1、GB/T 528、GB/T 2611、GB/T 6344、GB/T 20310、GB/T 3690、GB/T 4944、GB/T 3686、GB/T 529、GB/T 6344、GB/T 10654、HG/T 2580、JC/T 777、QB/T 2171、HG/T 2538、CNS 11888、JIS K6854、PSTC-7、ISO 37、AS 1180.2、BS EN 1979、BSEN ISO 1421、BS EN ISO 1798、BS EN ISO 9163、DIN EN ISO 1798、GOST 18299、DIN 53357、ISO 2285、ISO 34-1、ISO 34-2、BS 903、BS 5131、DIN EN 12803、DIN EN 12995、DIN53507-A、DIN53339、ASTM D3574、ASTM D6644、ASTM D5035、ASTM D2061、ASTM D1445、ASTM D2290、ASTM D412、ASTM D3759/D3759M
功能介绍
1.自动停机：试样破坏后，移动横梁自动停止移动（或自动返回初始位置、
2.自动换档：根据试验力大小自动切换到适当的量程，以确保测量数据的准确性
3.条件模块：试验条件和试样原始数据可以建立自己的标准模块的形式存储；方便用户的调用和查看，节省试验时间
4.自动变速：试验过程的位移速度或加载速度可按预先编制、设定的程序自动完成也可手动改变
5.自动程制：根据试验要求，用户可方便的建立自己的试验模板（方法、，便于二次调用，可实现试验加载速度、应力、应变的闭环试验控制
6.自动保存：试验结束，试验数据和曲线计算机自动保存，杜绝因忘记存盘而引起的数据丢失
7.测试过程：试验过程及测量、显示、分析等均由微机完成
8.批量试验：对相同参数的试样，一次设定后可顺次完成一批试验
9.试验软件：中文Windows用户界面，操作简便
10.显示方式：数据与曲线随试验过程动态显示
11.曲线遍历：试验完成后，可对曲线进行放大再分析，用鼠标查到试验曲线上各点对应的数据
12.试验报告：可根据用户要求进行编辑打印
13.限位保护：具有程控和机械两级限位保护
14.过载保护：当负荷超过额定值3～5%时，自动停机
15.报告显示：自动和人工两种模式求取各种试验结果，自动形成报表，使数据分析过程变的简单，便于用户
16.添加试验方法：用户可跟据试验要求，添加试验方法
软件说明
a.软件系统：中英文Windows2000/XP/Win7平台下软件包
b.自动储存：试验条件、试验结果、计算参数、标距位置自动储存。
c.自动返回：试验结束后，试验机横梁会自动返回到试验初始位置。
d.连续试验：一批试验参数设定完成后，可连续进行测试。
e.多种曲线：同一图形上可显示多种不同的曲线：荷重--位移、荷重-时间、位移--时间、应力—应变、荷重—两点延伸等到多种曲线。
f.曲线对比：同组试样的曲线可在同一张图上叠加对比。
g.报告编辑：可按用户要求输出不同的报告形式。
h.动态显示：测试过程中，负荷、伸长、位移及选中的试验曲线随着测试的进行，实时动态显示在主控屏幕上。
i.自动变标：试验中负荷、伸长等曲线坐标，如果选择不当，可根据实测值的大小，自动变换座标。保证在任何情况下 曲线以大的形式显示在屏幕上。
j.峰值保持：在测试的整个过程中，测试项目的大值始终随着试验的进行，在屏幕窗口上显示。
陶瓷介质损耗因数测试仪
技术参数：
1．Q值测量
a．Q值测量范围：2～1023。
b．Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档。
c．标称误差
频率范围（100kHz～10MHz）： 频率范围（10MHz～160MHz）：
固有误差：≤5％±满度值的2% 固有误差：≤6％±满度值的2%
工作误差：≤7％±满度值的2% 工作误差：≤8％±满度值的2%
2．电感测量范围：4.5nH~7.9mH
3．电容测量：1~205
主电容调节范围：18～220pF
准确度：150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1%
注：大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明
4. 信号源频率覆盖范围
频率范围CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz,
CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,
5．Q合格指示预置功能: 预置范围：5～1000。
6．B-测试仪正常工作条件
a. 环境温度：0℃～+40℃；
b．相对湿度：<80％；
c．电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
7．其他
a．消耗功率：约25W；
b．净重：约7kg；
c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。
1 测量范围及误差
本电桥的环境温度为20±5℃，相对湿度为30％－80％条件下，应满足下列表中的技术指示要求。
在Cn＝100pF R4＝3183.2（W）（即10K/π）时
测量项目 测量范围 测量误差
电容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF
介质损耗tgd 0～1 ±1.5％tgdx±0.0001
在Cn＝100pF R4＝318.3（W）（即1K/π）时
测量项目 测量范围 测量误差
电容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±3pF
介质损耗tgd 0～0.1 ±1.5％tgdx±0.0001
2 电桥测量灵敏度
电桥在使用过程中，灵敏度直接影响电桥平衡的分辨程度，为保证测量准确度，希望电桥灵敏度达到一定的水平。通常情况下电桥灵敏度与测量电压，标准电容量成正比。在下面的计算公式中，用户可根据实际使用情况估算出电桥灵敏度水平，在这个水平上的电容与介质损耗因数的微小变化都能够反应出来。
DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)
式中：Ｕ为测量电压 伏特（Ｖ）
ω为角频率 2pf=314(50Hz)
Ｃｎ标准电容器容量 皮法（pＦ）
Ｉｇ通用指另仪的电流5X10-10 安培（Ａ）
Ｒｇ平衡指另仪内阻约1500 欧姆（W）
Ｒ４桥臂R4电阻值3183 欧姆（W）
Ｃｘ被测试品电容值 皮法（ｐF）
3 电容量及介损显示精度：
电容量： ±0.5%×tgδx±0.0001。
介 损： ±0.5％tgdx±1×10-4
4 辅桥的技术特性：
工作电压±12V，50Hz
输入阻抗>1012 W
输出阻抗>0.6 W
放大倍数>0.99
不失真跟踪电压 0～12V（有效值）
5 指另装置的技术特性：
工作电压±12V
在50Hz时电压灵敏度不低于1X10-6V／格， 电流灵敏度不低于2X10-9A／格
二次谐波 减不小于25db
三次谐波 减不小于50db
ASTMD150介电常数测试仪
涂层介电常数测试仪
国标GBT1409介电常数介质损耗测试仪
